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电子元器件详细资料 » IC[21386] » IPG20N06S2L-65
型号:IPG20N06S2L-65类别:FET - 阵列制造商:Infineon Technologies
封装:8-PowerTDFN描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C65 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 14µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs12nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds410pF @ 25V
功率_最大43W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
深圳市汇景欣电子有限公司黎小姐0755-23051326
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IPG20N06S2L-65相关型号

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